Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer bei innovativer Speichertechnologie, hat mit der Massenproduktion des industrieweit ersten 256-Gigabyte (GB) Embedded Memory auf Basis des Universal Flash Storage (UFS) Standards 2.0 für anspruchsvollste Mobilgeräte der nächsten Generation begonnen. Das neue Embedded Memory bietet eine herausragende Leistungsfähigkeit, die typische SATA-basierte SSDs für PCs übertrifft.
„Indem wir High-Density UFS Memory anbieten, das fast doppelt so schnell wie SATA SSD für PCs ist, tragen wir zu einem Paradigmenwechsel auf dem Markt für Mobilgerätespeicher bei,“ sagt Joo Sun Choi, Executive Vice President, Memory Sales and Marketing, Samsung Electronics. „Wir sind entschlossen, den Wettbewerbsvorsprung bei Premium-Storage-Angeboten weiter auszubauen – OEM NVMe SSDs, externe SSDs und UFS – indem wir mit vollem Ehrgeiz die Leistungsfähigkeit und Kapazität in allen drei Märkten in die Höhe treiben.“
Das neue Samsung UFS Memory erfüllt die Anforderungen von High-End-Smartphones hinsichtlich ultra-hoher Geschwindigkeit, großer Speicherkapazität und kompakten Chip-Abmessungen. Es basiert auf den fortschrittlichsten V-NAND Flash-Memory-Chips des Unternehmens und einem speziell entwickelten leistungsstarken Controller. Das UFS Memory verarbeitet bis zu 45.000 und 40.000 Ein/Ausgangs-Operationen pro Sekunde (IOPS) für wahlfreies Lesen bzw. Schreiben. Es ist damit über zwei Mal schneller als die bisherige UFS-Speichergeneration mit 19.000 und 14.000 IOPS.
Für sequenzielles Lesen nutzt das 256GB UFS Memory zwei Wege des Datentransfers, um Daten mit bis zu 850MB/s zu bewegen. Dies ist fast doppelt so schnell wie typische SATA-basierte SSD in PCs. Was das sequenzielle Schreiben angeht, untersützt das UFS Memory bis zu 260MB/s. Dies ist etwa drei Mal schneller als hochleistungsfähige externe micro SD-Karten.
Als Ergebnis kann das neue 256GB UFS Memory Videos in Ultra HD Qualität ruckelfrei abspielen und Multitasking auf Mobilgeräten mit großem Display unterstützen, zum Beispiel das Verfolgen von Spielfilmen in 4K Ultra HD Auflösung auf einem geteilten Display, während der Anwender Bilddateien sucht oder Videoclips herunterlädt. Seine Kapazität von 256GB ermöglicht auch das Speichern bisher unerreichbar hoher Datenmengen direkt auf dem Mobilgerät. Zum Beispiel kann ein 256GB UFS-Chip etwa 47 Full HD Spielfilme speichern. Er ermöglicht so eine wesentlich höhere Flexibilität bei Handheld-Konsumerelektronik.
Bei Smartphones der nächsten Generation mit USB 3.0 Schnittstelle können Anwender Daten weitaus schneller zwischen Mobilgeräten austauschen. Über die USB 3.0 Schnittstelle lässt sich ein 5GB-äquivalenter Full-HD Videoclip (durchschnittlich 90 Minuten Spielzeit) in 12 Sekunden übertragen. Innerhalb dieser neuen Speicherumgebung können Anwender die Leistungsvorteile von Samsungs neuestem UFS Memory voll ausschöpfen.
Durch den Einsatz von Samsungs fortschrittlicher Speichertechnologie sind die neuen UFS-Speicherchips äußerst kompakt und sogar kleiner als eine externe micro SD-Karte. Dies gibt Smartphone-Entwicklern eine höhere Flexibilität an die Hand.
Samsung hat die Verfügbarkeit seines 128GB UFS Memory im February 2015 angekündigt. Nur ein Jahr später hat das Unternehmen die Kapazität und Geschwindigkeit verdoppelt. Dies dürfte weiteres Wachstum auf dem Markt für Mobilprodukte bewirken. Samsung wird seine Premium Storage-Angebote, die auf seinem fortschrittlichen V-NAND Flash Memory inklusive des neuen 256GB UFS basieren, erweitern und seine Fertigungskapazitäten entsprechend des weltweiten Bedarfs erhöhen.
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